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发信人: egao (晓飞), 信区: ITnews
标  题: 三星开发业界第一个DDR-II SDRAM
发信站: 哈工大紫丁香 (2002年05月31日17:13:01 星期五), 站内信件

人民网5月28日讯  全球高端半导体存贮技术领导厂商--三星电子公司，今天宣布业界第一
个DDR-II 设备面市，该产品是高密度的512Mb DDR-II SDRAM，预计将成为高速系统的新一
代主流DRAM（动态随机存取存储器）技术。
     2002年3月，三星公司的512Mb DDR-II SDRAM已经完全满足了JEDEC DDR-II标准设置
。该设备只需1.8伏的低电耗，数据传输速度为533Mbps并且可以最大扩展至667mbps以适应
网络处理器和特殊系统的环境要求。换而言之，三星全新的512Mb DDR-II SDRAM设备的实
用性，使高速、高性能的新一代内存设计成为可能。
     借助增加一些核心功能，三星的512Mb DDE-II SDRAM设备中融入了JEDEC的DDR-II技
术要求，这些核心功能包括通过off-chip驱动校准（OCD）来保持最佳驱动强度；通过on-
die终端（ODT）来保证最佳信号波形；而通过灵敏的CAS，这种指令控制方式，来提高信息
通路的效率。此外，该设备的芯片规模(60-ball BGA软件包)使性能达到了最大化。
     三星公司是开发DDR技术的业界领导者。2001年12月，鉴于三星公司在工程学方面的
影响力，JEDEC授予我们技术成就奖从而肯定了三星对DDR-SDRAM的标准化所做的贡献。
     在DDR设备的市场引进方面，三星还拥有许多里程碑似的骄人业绩。1997年，三星公
司将第一个64Mb驱动投放市场，随后跟进开发了一系列适时的产品：2000年DDR266浮出水
面，2001年推出DDR333。三星目前拥有比其他厂商更多的产业认证的DDR SDRAM设备，从另
一个侧面证明了我们DDR SDRAM产品的良好性能及可靠性。
     2001年3月，开发512MB DDR-II SDRAM前，三星创造出一款2.5伏，128兆的DDR-II原
型。与三星驱动程序设计的同时，IBM为促进DDR-II核心技术特性成为可能，配合新注册的
DIMM开发了第一代DDR-II存储界面芯片。
     作为著名的世界级领先的系统供应商和技术前驱，IBM已经和三星技术人员在存储子
系统方面共同完成了早期DDR-II原型设备的创造。所有关键性的功能和性能指标均已达到
要求。系统环境中的新一代DDR-II技术的成功确认标志着双方的合作已结出了硕果。 
     "对于三星公司而言，这是一个重大的技术成就。"IBM存储技术认证部经理Gary Tre
ssler先生说，"我们一直致力于为消费者提供解决方案来适应随时增长的，以网络为中心
的计算世界中高强度内存需求，该项技术成就使我们向这个目标迈出了重要一步。我们将
一如既往地进行上述工作，并且将继续与三星公司及其他公司进行紧密合作以降低成本，
缩短产品推向市场的时间，并确保产品具有最广泛的适用性以及未来DRAM技术开放标准的
兼容性。
     "三星公司将继续大力支持DDR-II的研发，使其作为未来主流技术以满足消费者在高
密度，高性能存储方面的需要。"三星半导体公司市场副总裁Tom Quinn先生表示，"DDR-I
I项目的确认大大降低了这项新成果作为新一代解决方案的市场导入时间。我们在全球范围
得到了一致的好评，这些评价强有力地证明了此项技术的可靠性。"
     从2003年第三季度开始，三星将着手进行全新512兆DDR-II SDRAM设备的大规模生产
工作。此前，为了实现2002年将DDR DRAM的市场份额增至50%以上的公司策略，三星公司将
会适时地向市场介绍这些新一代DDR-II设备的模型。三星公司将继续在目前多类配置和高
密度的市场环境中不断开发尖端技术和产品，以保持在高端内存市场中的领先地位。
     数据显示，2002年DRAM市场将达到211亿美元，2004年将增长至411亿。2002年DRAM将
占DDR市场的40%并且将于2003年增至66%。 

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