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标  题: 英特尔开发出3门晶体管 继续摩尔法则步伐
发信站: 哈工大紫丁香 (2002年09月26日08:57:19 星期四), 站内信件

　　【日经BP社报道】美国英特尔于当地时间9月19日宣布，成功地开发出了三维结构的
3门晶体管。与过去二维结构的平面型晶体管相比，在降低耗电量的同时，还能够实现更
高的性能。 
　　“通过采用3门晶体管设计，就能够实现同时具备低耗电量和高性能的超小型晶体管
。而且今后也能够继续保持摩尔法则的发展步伐”(英特尔元件研究所主管Gerald 
Marcyk)。 　 
　　晶体管是能够处理用0和1来表现的数字数据的微细结构的硅类开关元件，可以说是
所有半导体LSI的基本元件。以前的平面型晶体管，其电信号在平直的单向通道中移动，
直接利用这些结构，如果不把晶体管的尺寸设计在30nm(1nm等于10亿分之1米)以下，漏
电电流就会增大，正常工作时就需要有更大的电流。结果，其发热量就会达到无法允许
的程度。 　 
　　英特尔在3门晶体管中，通过在平面上设置具有垂直壁的“平台”，使之具备了三维
结构。由此，不仅是晶体管的上部，而且电信号还可以在平台壁中移动。“不需增加底
板面积，就将电信号的移动面积提高了2倍”(英特尔)。 
　　该公司解释说：“如果采用3门结构，不仅纳米级晶体管的工作效率会提高，而且晶
体管的工作速度也会提高”。“在同等程度的栅极长度下进行比较，3门晶体管与平面型
晶体管相比，驱动电流增加了20%”(英特尔)。 　 
　　3门结构是在为了降低漏电电流而完全取消了硅的超薄膜上形成的。利用这种结构，
在大幅降低耗电量的同时，还可以提高晶体管的开/关切换速度。
　　“作为实现本公司于2001年12月发表的THz(1THz为1000GHz)工作频率的晶体管架构
的方法，3门晶体管大有希望”(英特尔)。 
　　而且通过提高源极和漏极的结构，即可以降低电阻，还能够以更低的耗电量驱动晶
体管。“将来，为了进一步降低漏电电流，在使用高介电率栅绝缘膜的时候，也可以采
用这种结构”(英特尔)。 
　　英特尔的研究人员在9月17日于名古屋召开的“International Solid State 
Device and Materials Conference(国际固体元件和材料研讨会)”上，发表了该3门晶
体管的概要。有关该晶体管的详细情况刊登在英特尔的WWW站点上。 

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